Silicon Carbide Tile Featured Image reactionem Bonded

Reactionem Bonded Silicon Carbide Tile

Description:

Reactio carbidi pii religata etiam nota cum carbide siliconisata vel SiSiC, facta est ex pactis infiltrantibus mixtis ex SiC et carbonis cum liquido Pii.Silicon reagit cum carbone magis formante SiC quod ligat particulas initiales SiC, Quodvis excessus silicon reliquas poros implet in corpore et compositum densum SiC-Si producit, Infiltratio dat materiam singularem compositionem mechanicae, scelerisque, et electricae. possessiones.

Mitte ad nos inscriptio

Product Detail

Utilitas Reactionis Bonded Silicon Carbide

I) Minimum densum.
2) Corrosio resistendi.
3) Repugnantiam gere.
4) Oxidationis resistentia.
5) Abrasionis resistentia.
6) Bonum scelerisque concussa resistentia (ex humilis scelerisque expansionem coefficiens et princeps scelerisque conductivity).
7) Fortitudo optima in caliditate.
8) Bonum dimensivum complexorum figurarum imperium.

Resistentes gere producta: lamina carbida Silicon, carbida lateris Silicon, Pipe oblinit, Pipe Cone, cyclone, etc.
Fornax supellex: lamella, trabes, Rollerus, Exuro, Nozzle, trabes rotundus, trabes quadrata, trabes foraminis. Crucible, Sagger, etc.
Alii: Desulfurization nozzles
Applicationem Reactionis Bonded Pii Carbide:
Reactio religata carbide pii probata est egregiam materialium electionem ad applicationes induendas sicut tibiae liners, Nozzles, fluxus increpationis suffocat et maiora gerunt elementa in fodienda necnon aliae industriae.

Principalis Parameter

Properties	Unitates	SiSiC/RBSIC
Mole densitatis (SiC)	V01%	≥85
mole densitatis	g/cm*³	3.01
Apparens poros	%	-0.1
Modulus rupturae in 20℃	Mpa	250
Modulus rupturae in 1200℃	Mpa	280
Modulus elasticitatis in 20℃	Gpa	330
Fractura spissitudo	Mpa*m1/2	3.3
Scelerisque Conductivity at 1200℃	wm^-1.k^-1	45
Scelerisque expansionem at 1200℃	a×10^-6/	4.5
Scelerisque inpulsa resistentia 1200℃		Ipsum bonum
Caloris radialis coefficiens		<0.9
Max.working temperatus	℃	1350